技术参数-EDA365

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CY8C21123-24SXI的技术参数

产品型号:CY8C21123-24SXI工作电压(V):2.4~5.25速度(MHz):24Flash(字节):4KRAM(字节):256SMP:无数字PSoC模块:2-Basic 2-Comms模拟PSoC模块:4 Type"E"I/O:6封装/温度(℃):8(150-Mil)SOIC/-40~85价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-08-04

CY8C20334-12LKXI的技术参数

产品型号:CY8C20334-12LKXI工作电压(V):2.4~5.25速度(MHz):12Flash(字节):8KRAM(字节):512SMP:无数字PSoC模块:1 CapSense模拟PSoC模块:无I/O:20封装/温度(℃):24QFN/-40~85价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-08-04

NTP35N15G的技术参数

产品型号:NTP35N15G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:37 A, 150 V功率MOSFET价格/1片(套):￥18.00...

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发布时间：2021-08-04

MTP12P10G的技术参数

产品型号:MTP12P10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-65~150描述:12A,100V,TO220,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥10.80...

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发布时间：2021-08-04

MTD6N20ET4G的技术参数

产品型号:MTD6N20ET4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):700最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:N沟道封装/温度(℃):3DPAK/-55~150描述:6A,200V,DPAK,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥6.86...

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发布时间：2021-08-04

MTD5P06VT4G的技术参数

产品型号:MTD5P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(℃):3DPAK/-65~175描述:5A,60V,DPAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥3.23...

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发布时间：2021-08-04

MTB50P03HDLT4G的技术参数

产品型号:MTB50P03HDLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):50通道极性:P沟道封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175描述:50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥20.50...

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发布时间：2021-08-04

MMBF170LT3G的技术参数

产品型号:MMBF170LT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):0.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥.60...

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发布时间：2021-08-04

MMBF170LT1的技术参数

产品型号:MMBF170LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):0.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:0.5A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥.60...

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发布时间：2021-08-04

MMBF2201NT1G的技术参数

产品型号:MMBF2201NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.400最大漏极电流Id(on)(A):0.300通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:0.3A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):...

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发布时间：2021-08-04

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如何设计零EQ？请查收工程师必备的《DFM实用指南》

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