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闪存芯片
高性能NRAM存储器的用武之地
人工智能技术在诸多公共卫生领域的大展身手持续吸引住着大家的眼光....
嵌入式开发
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存储器
DRAM芯片
闪存芯片
NRAM
发布时间:2021-12-06
三星七代V NAND可达176层.基于双堆栈技术持续占据自身闪存头部地位
三星在下一代闪存芯片的开发中取得重大进展.第七代V NAND闪存芯片将达到176层.并将于明年4月实现量产....
嵌入式开发
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三星
NAND
V-NAND
闪存芯片
发布时间:2021-11-15
向192层3D NAND闪存进发.长江存储计划今年将产量提高一倍
据日经亚洲评论报道.长江存储计划今年将产量提高一倍.并开始率先生产192层3D NAND闪存.两名知情人士表示.长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍.至10万片晶圆.约占全球总产量的7%.这将有...
存储技术
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长江存储
闪存芯片
发布时间:2021-03-29
保持月产13万片满产成绩!西安三星存储芯片未受疫情影响
疫情下.三星电子在西安的芯片厂并未出现生产中断的情况. 2月19日.西安市新型冠状病毒感染的肺炎疫情联防联控工作第十四场新闻发布会也指出.截止2月18日.西安三星12英寸闪存芯片二期.西安奕斯伟硅产业基地等30...
存储技术
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三星电子
闪存芯片
发布时间:2020-12-16
SLC.MLC.TLC闪存芯片的区别
SLC.MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸.最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell).原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料.直到MLC(Multi-Level Cell)...
技术百科
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SLC
TLC
MLC
闪存芯片
发布时间:2020-06-20
长江存储的首台光刻机运抵武汉.国产32层3D NAND闪存芯片
日前.长江存储的首台光刻机运抵武汉天河机场.设备相关的海关.商检及边防口岸的相关手续办理完成后.即可运至长江存储的工厂.据消息.这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机.售价7200万美元.用于14nm~20nm工艺....
技术百科
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芯片
长江存储
闪存芯片
发布时间:2020-06-17
威刚发布XPG SX7000系列NVMe SSD新品: 竟有1TB 的版本
去年 9 月份的时候.我们曾报道过威刚(Adata)的 XPG SX8000 系列入门级 NVMe SSD .不过现在.该公司又放出了全新的 XPG SX7000 系列 NVMe SSD 产品线.尽管参数规格略低一些.但它仍承诺带来比 SATA SSD 更高速的...
技术百科
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威刚
闪存芯片
发布时间:2020-06-17
晟碟推出新技术闪存芯片 容量高达64GB
晟碟(SanDisk)今日推出了新的先进闪存芯片生产技术.旨在进一步帮助芯片生产商提高利润. 晟碟表示.已经开始向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡.这种存储卡包含容量为64G的闪存芯片.较当前市场上...
技术百科
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闪存芯片
X4技术
晟碟
发布时间:2020-06-13
西数开始生产[全球最高"的 3D NAND 闪存芯片
西部数据(WD)于今日宣布其已开始生产业内最密集的 3D NAND 闪存芯片.堆叠达到了 64 层.当然.每单元存数比特位数也从 2 增加到了 3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC).西数及其合作伙伴东芝将其[垂直 3D 堆叠技术...
技术百科
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西部数据
闪存芯片
发布时间:2020-06-12
三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片
三星电子今天宣布.已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片.该闪存芯片将用于服务器.PC和移动设备.下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧.三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯...
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三星
NAND
闪存芯片
发布时间:2020-06-04
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