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闪存
尔必达开发出25纳米工艺内存芯片
尔必达5月3日宣布.他们已经开发出了基于25纳米制程工艺的2Gb DDR3内存芯片. 尔必达最新内存芯片可支持1866Mbps数据传输速率.并兼容低压1.35伏1600Mbps数据传输.和尔必达30纳米工艺相比.新工艺芯片每比特所需...
半导体生产
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芯片
工艺
闪存
尔必达
25纳米
发布时间:2020-06-02
尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存
尔必达内存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示.该公司与Spansion公司(Spansion Inc.)已开发出一款新闪存芯片.拥有比现有芯片更为简单的信元结构.该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片....
半导体生产
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4G
闪存
DRAM
NAND
Spansion
尔必达
发布时间:2020-06-02
宏力半导体0.13微米嵌入式闪存实现量产
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段. 宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和...
半导体生产
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嵌入式
闪存
宏力
发布时间:2020-06-02
宏力半导体发布0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程. 宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术.该授权闪存技术具有单...
半导体生产
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嵌入式
闪存
制程
宏力半导体
0.13微米
发布时间:2020-06-02
英特尔合资公司新加坡工厂明年投产
英特尔和美光(Micron)合资公司IM Flash Technologies(以下简称[IMFT")新加坡工厂将于2011年第二季度投产. IMFT创建于2006年1月.主要生产NAND闪存.其首个制造工厂位于犹他州Lehi地区.IMFT新加坡工厂原计划于20...
半导体生产
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英特尔
闪存
NAND
硅晶圆
美光
IMFT
发布时间:2020-06-01
苹果效应不再 NAND闪存价格持续下滑
台湾媒体报道.来自存储芯片制造商的消息称.尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆.但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑. 苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单.但即便是这样也很难推...
半导体生产
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iphone
苹果
闪存
NAND
IPAD
发布时间:2020-06-01
韩国3D NAND闪存三季度有望占全球一半市场
新浪美股讯 北京时间5日早间韩联社称.市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示.到今年三季度.三星电子.SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%. 闪存是指在断...
半导体生产
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半导体
闪存
NAND
发布时间:2020-06-01
Microsemi推出SmartFusion® cSoC与FPGA自有品牌计划
致力于提供帮助功率管理.安全.可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation.纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 今天为其SmartFusion®可定制化系统单芯片(cSoC)和广泛的闪存型与反熔丝...
技术百科
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闪存
microsemi
发布时间:2020-06-01
MirrorBit闪存可与Spartan-6评估和开发工具兼容
Spansion公司今天宣布:其MirrorBit® 闪存现已可作为经赛灵思(Xilinx)Spartan®-6 FPGA系列验证的配置解决方案提供.Spansion提供了一个MirrorBit Multi-I/O闪存附加模块.它与赛灵思的Spartan-6评估和开发工具兼容...
技术百科
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FPGA
闪存
解决方案
Spansion
发布时间:2020-06-01
破1000亿美元!2018年半导体资本支出创纪录
IC Insights最新发布的报告将2018年全球半导体资本支出从8%上调到14%.IC Insights最新公布了2018年5月的半导体市场报告.这份报告包含了全球前25位的半导体供应商.2018年第一季度IC市场分析.以及对于2018年的半导...
半导体生产
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半导体
闪存
发布时间:2020-06-01
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