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闪存
基于DSP的温度采集记录仪的设计
引言 自从20世纪70年代能源危机爆发以来.人们便逐渐意识到世界上的能源并不是取之不尽.用之不竭的.因此.如何应用科学的方法.结合生产实践.设计出低耗能.高产出.高效率的产品.已成为从业人员研究的重点....
DSP系统
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DSP
闪存
TMS320LF2407
发布时间:2020-05-14
英特尔:未来5年闪存强劲依旧 OUM问题在成本
美国英特尔是手机闪存EEPROM的最大供应商.迄今为止.该公司凭借NOR型EEPROM的细微化及多值化.一直领先于业界.保持着强大的竞争力.关于该公司全力推进的NOR型E...
技术百科
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闪存
发布时间:2024-11-24
ST推出市场上裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多电平单元NOR闪存
世界领先的手机闪存解决方案供应商意法半导体近日推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品.基于第四代多电平单元(MLC)技术.65nmPR系列闪存的软硬件兼容现有的90nmPR系列NOR闪存.为客户升级现有系统提供了...
技术百科
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电平
闪存
发布时间:2024-11-24
基于闪存的FPGA添臂力 便携式医疗设备可靠度大增
便携式医疗产品逐渐获得市场青睐.如何开发出更小尺寸.更低功耗与高可靠度的产品已成为产品设计人员首要课题.产品设计人员透过高效能的Flash-basedFPGA元件.将可实现微型化.高安全性与低功耗等特性.进而扩大便...
技术百科
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FPGA
医疗设备
闪存
发布时间:2024-11-24
PSD4000系列为16位及32位嵌入系统增添外部闪存和逻辑
PSD4000系列是Waferscale Integration公司新近推出的超低功耗可编程系统器件.它们可以为16位和32位的微控制器(包括以下一些主要厂商的产品.如Motorola. Intel.Hitachi.Infineon和Philips)以及DSP(出自Texas ...
技术百科
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闪存
发布时间:2024-11-24
武汉新芯50nm NOR Flash全线量产.先进工艺制程领先全球
紫光集团自主研发的武汉新芯50nm NOR Flash存储芯片.已达到了国际先进水平....
嵌入式开发
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闪存
NAND
武汉新芯
NOR Flash芯片
50nm工艺
发布时间:2024-11-24
揭秘:三星3D立体闪存是如何堆叠起来的?
三星已经连续推出了两代3D立体堆叠的V-NAND闪存.业内独一无二.那么三星究竟是怎么做到的呢?要知道.在微观半导体层面.立体堆叠可不是搭积木.小编带你看看三星3D立体V-NAND闪存是如何堆叠的起来的....
存储技术
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三星
闪存
3D立体
发布时间:2024-11-24
TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI
TDK 公司近日宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI.该产品计划于九月份开始销售.生产能力预计为100,000单元/月.GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC.与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容...
技术百科
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控制器
闪存
发布时间:2024-11-24
ST推出256M NAND闪存
ST近日宣布已大批量生产256M"Small Page"NAND闪存VFBGA55版芯片.采用8x10mmBGA封装形式.适用于便携式设备.如照相手机.智能手机.低成本数码相机.PDA和USB相...
技术百科
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闪存
发布时间:2024-11-24
传三星制程出现问题 闪存市场供需缺口扩大
据国外媒体报道.三星电子高容量MLC(Multi-LevelCell)制程出现问题.将严重影响产量.早些时候.苹果为保证供货平稳包下三星四成产能.其他数码...
技术百科
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闪存
制程
发布时间:2024-11-24
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