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DRAM
温度自适应性DRAM刷新时钟电路
0 引 言动态存储器中的数据以电荷形式存储在电容中.因为MOS晶体管漏电.电荷会逐渐漏失.最终造成数据丢失.所以.动态存储器就需要不断对数据进行刷新.补充电荷.由于漏电流的大小受温度影响较大.导致电荷在存储...
其他资讯
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DRAM
温度
时钟电路
发布时间:2020-07-09
DRAM SRAM SDRAM内存精华问题汇总
问题1:什么是DRAM.SRAM.SDRAM?答:名词解释如下DRAM--------动态随即存取器.需要不断的刷新.才能保存数据.而且是行列地址复用的.许多都有页模式SRAM--------静态的随机存储器.加电情况下.不需要刷新.数据...
模拟电路设计
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DRAM
SDRAM
SRAM
发布时间:2020-07-08
如何玩转DDR?要先从这五大关键技术下手
首先小编就几个关键技术再给大家介绍一下.差分时钟技术差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计.但大家对CK#(CKN)的作用认识很少.很多人理解为第二个触发时钟.其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用.由于数...
嵌入式开发
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DDR2
DRAM
ddr
差分时钟
发布时间:2020-07-07
基于VHDL的DRAM控制器设计
80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一.已广泛应用于电脑终端.程控交换和工控等领域.在该嵌入式微处理器片内.集成有DRAMRCU单元.即DRAM刷新控制单元.RCU单元可以自动产生D...
嵌入式开发
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控制器
DRAM
设计
VHDL
基于
发布时间:2020-07-07
中芯全面停止DRAM芯片生产.台湾厂商受惠
上海芯片代工厂中芯国际自新任CEO王宁国掌权后.包括中芯本身.武汉厂新芯.成都厂成芯等可掌控产能.已自今年元月起.全面停止所有DRAM生产业务. 由于中芯过去两年以SDRAM填补产能.成为国内消费性电子产品...
工艺设备
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芯片
半导体
中芯国际
DRAM
SDRAM
发布时间:2020-07-01
机台设备交期延.DRAM厂制程微缩绊脚石
2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术.但新制程关键恐未必在技术上.而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步.近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货.但目前交期已递延至4月.南亚...
工艺设备
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DRAM
制程
40nm
机台设备
浸润式微显影
50nm
发布时间:2020-07-01
光刻设备交货延期推迟DRAM 40纳米战局
全球DRAM产业40纳米大战出现变量.由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故.瑞晶已松口表示.原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标.将正式递延至2011年第1季.其第1台浸润式机台本...
工艺设备
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半导体
DDR3
DRAM
光刻设备
40nm
发布时间:2020-07-01
ASML高层:看好明年半导体资本支出
道琼社.Thomson Reuters报导.欧洲半导体设备业龙头ASML Holding NV财务长Peter Wennink 19日在摩根士丹利年度科技媒体电信(TMT)大会上表示.明年度半导体业的资本支出将增加.该公司客户的需求强劲使得前置时间达1...
工艺设备
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DRAM
ASML
半导体设备
发布时间:2020-07-01
台积电设备供货商ASML调高Q4接单金额预估值
ASML Holding NV于美东时间9日凌晨2时宣布调高第4季(10-12月)设备接单额预估:接单额可望超过20亿欧元.高于先前在10月13日预估的优于Q3接单额(12.97亿欧元). ASML指出.多数半导体市场对微影(Lithography)设备...
工艺设备
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台积电
DRAM
NAND
ASML
微影设备
发布时间:2020-07-01
基於DRAM的单片机通信软件程序
基於雙口RAM的單片機通信.軟件程序:#define _DPRAMCOMM_H#include reg52.h> // 引用标准库的头文件#include absacc.h>#define uchar unsigned char #define LP_STT_SEM XBYTE[0x0000] // 左端状态旗语#define LP_P...
嵌入式开发
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单片机
DRAM
通信软件
发布时间:2020-06-29
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