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MOSFET
被动元件价格暴跌.MLCC和MOSFET首当其冲
零组件陷盘整.被动元件好景不复见!业界传出.微软因MLCC库存水位过高.四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大.近期不仅供需相当平衡.价格也是松动在即.让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供...
半导体生产
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MOSFET
MLCC
发布时间:2020-05-26
ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001
电子网消息.亚德诺半导体 ( ADI ) 旗下凌力尔特公司 ( Linear ) 推出高速.高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001.该器件以高达 150V 电源电压运行.据悉.其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关.使其能...
半导体生产
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MOSFET
驱动器
ADI
LTC7001
发布时间:2020-05-26
ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003
电子网消息.亚德诺半导体 ( ADI ) 旗下凌力尔特公司 ( Linear ) 推出高速.高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003.该器件可采用高达 60V 的电源电压工作.其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关.从而使其...
半导体生产
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MOSFET
驱动器
ADI
LTC7003
发布时间:2020-05-26
8英寸晶圆代工产能紧俏 传报价调涨
受到MOSFET缺货.价格喊涨影响.上游8英寸晶圆产能拉警报.再度传出8英寸报价调涨.世界先进8英寸产能持续短缺.业界预估至明年初仍无法获得抒解.近期MOSFET报价调涨.由于中国大陆家电产品对变频化趋势持续推进....
半导体生产
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MOSFET
8英寸晶圆
发布时间:2020-05-26
600V超接面功率模块简化马达驱动电路设计
600V超接面MOSFET可大幅提升设备效能.采用分别的发射极开路输出设计.并可简化PCB板单路或三路Shunt电流监视走线.意法半导体(STMicroelectronics.ST)新推出的SLLIMM-nano智能功率模块(Intelligent Power Module....
半导体生产
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MOSFET
电路设计
发布时间:2020-05-26
在低功率压缩机驱动电路.ST超结MOSFET与IGBT技术能效比较
摘要电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效.尺寸和稳健性的要求越来越高.为满足市场需求.意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术.例如. IGBT和最新的超结功率MOSFET.本文在实际工况下的一个低功耗电...
电路设计
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MOSFET
超结
发布时间:2020-05-25
东芝扩大用于基站和服务器的功率MOSFET阵容
东京-东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品.这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构.并实现了顶尖[1]低导通电阻和高速开关性能.即日开始批...
电路设计
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MOSFET
通用直流
发布时间:2020-05-23
TI推出支持集成型MOSFET的大电流PMBus转换器
20A 及 30A SWIFT™ DC/DC降压转换器支持电压.电流以及温度监控. 2014 年 6 月 23 日.北京讯---日前.德州仪器 (TI) 宣布推出业界首批具有 PMBus 接口的 18V.20A 及 30A 同步 DC/DC 降压转换器.该 SWIFT TPS5...
模拟器件
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TI
MOSFET
PMBus
发布时间:2020-05-23
MOSFET的UIS和雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中.通常包括单脉冲雪崩能量EAS.雪崩电流IAR.重复脉冲雪崩能量EAR等参数.而许多电子工程师在设计电源系统的过程中.很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系.如何在实际的应用中...
分离器件设计
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MOSFET
雪崩
能量
UIS
发布时间:2020-05-23
IR 推出新型WideLead封装的车用MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列.与传统的 TO-262封装相比.可减少 50% 引线电阻.并提高 30% 电流. ...
分离器件设计
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MOSFET
RoHS
发布时间:2020-05-23
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