研发资源 > 标签 > MOSFET

一种简易的MOSFET自举驱动电路设计分享

 功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升.在一些中小功率的开关电源产品中.利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力.还具有良好的功率转换效果.本文将会为各位工程师分享一种建议的MOSFET...
发布时间：2021-07-29

MOSFET开关损耗分析

 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题.通过对MOSFET栅极电荷.极间电容的阐述和导通过程的解剖.定位了MOSFET开关损耗的来源.进...
发布时间：2021-07-28

DC/DC开关稳压控制器LTC3775的主要特性及功能分析

 DC/DC开关稳压控制器LTC3775的主要特性及功能分析-Linear 推出的低的最小接通时间.宽输入电压范围.同步降压型 DC/DC 开关稳压控制器 LTC3775.该器件驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级.LTC3775 具有不到 30ns 的最短接通时间.非常适用于高降压比应用.其 4.5V 至 38V 的输入范围可涵盖多种应用.包括大多数中间总线电压和电池化学组成....
发布时间：2021-07-23

氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

 GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布.其低电流.大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下....
发布时间：2021-07-13

根据应用恰当选择MOSFET的技巧

 鉴于MOSFET技术的成熟.为设计选择一款MOSFET表面上看是十分简单的事情.虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数.但为了选择出合适的MOSFET.工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔...
发布时间：2021-07-09

采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET

 人们普遍认为.SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度.有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗....
发布时间：2021-07-07

转换器外围器件的争取选择和布局方案分析

 转换器外围器件的争取选择和布局方案分析-去数十年来.电子产品的发展可谓一日千里.以个人通信设备为例.由最初的奢侈品到现在的广泛普及.电子产品无论从重量.体积还是效率.都有了翻天覆地的变化.但是不论电子产品变化多快.种类多么繁多.电源-这一电子产品的[动力"装置.往往很容易被很多电子工程师所忽视.本文便以 MAX8640Y/Z为例.重点阐述DC/DC转换器外围器件如何选取以及电路设计的注意事项....
发布时间：2021-06-30

部分耗尽SOI器件新体接触技术可有效克服MOSFET中的浮体效应

 部分耗尽SOI器件新体接触技术可有效克服MOSFET中的浮体效应-SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响.其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应.当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时.由于结构中氧化埋层的隔离作用.器件开启后一部分没有被耗尽的si膜将处于电学浮空的状态.这种浮体结构会给器件特性带来显著的影响.称之为浮体效应.浮体效应会产生kink效应.漏击穿电压降低.反常亚阈值斜率等浮体效应....
发布时间：2021-06-30

意法半导体生态认证400W电源评估板降低先进节能电源设计难度

 借助意法半导体的 L4984D 电流式 PFC 控制器和 L6699 谐振半桥控制器的创新功能.能够在多种工作模式下最大限度提高电源能效....
发布时间：2021-06-30

Vishay-30 V p沟道功率MOSFET问市.大幅提高能效和功率密度

 日前.Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布.首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP.10V条件下导通电阻降至1.7 mW.Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平.采...
发布时间：2021-06-29
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