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MRAM
IEDM:28nm嵌入式MRAM问世在即
包括三星.东芝.海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的最新发展.在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(IEDM)上.来自三星(Samsung).东芝(Toshiba).海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多...
技术百科
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三星
MRAM
发布时间:2020-06-09
Everspin将打造千兆级内存芯片ST-MARAM.相比NAND闪存技术减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性
据外媒报道.磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑.Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片.另外他们已经将这款高寿命.非易失性的内存芯片生产提上议程. Everspin的ST-MRAM能够提供持久...
技术百科
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MRAM
NAND
发布时间:2020-06-08
NEC等开发出嵌入系统LSI的高速MRAM
NEC和NEC电子2009年2月12日宣布.两公司已开发出了以嵌入系统LSI为目的的32Mbit高速MRAM(Magnetic RAM).并成功完成了实证实验. NEC认为.通过将芯片上的SRAM替换为MRAM.可实现即使待机时切断电源.数据也不...
技术百科
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MRAM
lsi
嵌入系统
32bit
发布时间:2020-06-02
Everspin科技推出16Mb MRAM产品
磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM. 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位.现在.所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非...
技术百科
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MRAM
Everspin
发布时间:2020-05-29
MRAM挥军MCU设计
目前在微控制器(MCU)上采用MRAM等新兴存储器并不普及.主要是因为这些新技术的成本比起NOR快闪存储器或SRAM更高.不过.随着制程微缩超过14nm.预计情况将会发生变化-随着越来越多具成本效益的应用选择磁阻随机存取...
半导体生产
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MRAM
MCU设计
发布时间:2020-05-27
韩国政府携手三星与海力士 研发MRAM芯片
根据韩联社(Yonhap)报导.韩国政府宣布.已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作.进行磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研发专案.以维持...
电路设计
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芯片制造
MRAM
Samsung
发布时间:2020-05-25
MRAM将变革未来存储技术发展.ARM捷足先登
MRAM开发商Spin Transfer Technologies Inc.已更名为Spin Memory Inc.(加利福尼亚州弗里蒙特).并在Applied Ventures LLC和ARM Ltd.领导的B轮融资中募集了5200万美元. Applied Ventures LLC是芯片制造设备供应商A...
存储技术
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MRAM
发布时间:2020-05-16
清华大学开发新技术改善MRAM存储速度与功耗
来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术.号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善,这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少. 上述新技术的基本概念.是将磁域开关「部分」开关....
存储技术
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MRAM
发布时间:2020-05-16
分析师预测2019年MRAM市场可达21亿
市场研究机构 Coughlin Associates 的最新报告预测.磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torque transition.STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展. C...
存储技术
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MRAM
发布时间:2020-05-16
Crocus科技宣布收购恩智浦的MRAM专利
Crocus科技日前宣布收购恩智浦的一系列MRAM专利.恩智浦MRAM专利涵盖了北美及欧亚多个地区.Crocus并没有透露具体交易价格.Crocus执行主席Bertrand Cambou在一份声明中指出:[现如今.知识产权在技术市场的竞争中显...
存储技术
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恩智浦
MRAM
Crocus
发布时间:2020-05-15
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