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三星未来两年或追投西安3D NAND厂43亿美元

据海外媒体报道.传三星电子于2017~2018年.将大举追加投资西安3D NAND Flash厂.业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元).以迎接存储器市场史上最大需求热潮.Chosun Biz日前引述业界消息指出.三星与大陆政...

存储技术

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发布时间：2020-05-16

三星拟扩产3D NAND,明年产能将拉高近4成

南韩经济日报(Korea Economic Daily)昨(15)日传出.三星电子(Samsung Electronics Co.)打算在明(2017)年底前扩充3D NAND型快闪记忆体产能.总共要斥资25兆韩圜.主要扩产的是位于中国西安的厂房.预定今年稍晚会于该...

存储技术

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3D
NAND

发布时间：2020-05-16

三星.东芝竞扩产.NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求.预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成.且跌势恐将一直延续至2018年. 市调机构IHS iSuppli最新报告预测.NAND Flash今年底报价将跌至0.49美元每GB...

存储技术

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发布时间：2020-05-16

SanDisk和Toshiba将推32nm NAND flash

据国外媒体报道.SanDisk宣布将于2009年推出32nm制程的NAND flash.以保持在NAND flash技术中的领先地位. SanDisk的合作伙伴Toshiba同样将于2009年下半年推出32nmNAND flash芯片.其他厂商也正在推出新的尖端...

存储技术

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发布时间：2020-05-16

NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限

IEEE Transactions on Magnetics上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder.博士生Chang Soo kim的一篇研究文章.师徒俩研究了13种非易失性存储技术.看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘....

存储技术

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发布时间：2020-05-16

NAND FALSH的原理及应用介绍

1. 引言本文阐述了一种通过FPGA实现对欧比特公司的大容量NAND FLASH芯片VDNF2T16VP193EE4V25的操作方法.设计中采用ALTERA公司FPGA芯片.利用自建IP搭建硬件平台实现NAND FLASH的驱动.该设计也可移植到其他FPGA...

可编程逻辑

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FPGA
NAND

发布时间：2020-05-16

DRAM报价超预期 IC insights大幅上修今年IC成长预估值

因DRAM.NAND等内存报价上涨.需求强劲.调研机构昨日(3月14日)发布最新研究报告.将2018年全球IC市场成长预估值拉高近一倍.从原本的8%一口气上修至15%.IC Insights3月14日发表研究报告指出.由于DRAM.NAND内存...

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DRAM
NAND

发布时间：2020-05-15

DRAM价格持续上涨.NAND Flash跌价压力增加

根据CINNO Research从存储器供应链业者所掌握到的消息.除了DRAM供给端产出成长持续有限外.主要受惠于第二季智能型手机备货需求开始增温以及服务器和数据中心建置持续畅旺.整体第二季DRAM需求位出货将拜托第一季衰...

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DRAM
NAND

发布时间：2020-05-15

8月NAND合约价较上月跌近2成

根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示.NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后.8月下旬续跌5~10%.亦即8月合约价较7月重跌11~18%.集邦科技表示.综合生产端产出增加以及下半年需求不如...

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发布时间：2020-05-15

3D NAND技术畅想

当摩尔定律渐趋迟缓时.还能持续不断创造经济价值的方向之一是往三维(3D)制程的方向走.3D的努力最早始于封装:不能整合在同一个芯片上.那么封装在一起吧!但是也碰到了挑战-连接各层芯片的矽穿孔(Through Silicon ...

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NAND

发布时间：2020-05-15

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