NAND-EDA365

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NANDFlashd的读写(基于s3c2440)

#ifndef__TEST_H__#define__TEST_H__#include"def.h"#defineMAX_NAND_BLOCK2048//一共2048块#defineNAND_PAGE_SIZE2048//每块main区2k字...

嵌入式开发

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发布时间：2021-04-27

扩大产能.三星考虑对西安工厂追加投资

据BusinessKorea报道.韩国科技巨头三星电子正考虑对其在陕西省西安市的第二座半导体项目代工厂加注投资.但目前中美贸易战火未歇.也为三星的追加投资西安工厂计划增加了不确定性-- 据证券和半导体行业消息人士透露...

半导体生产

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发布时间：2021-04-27

170层!铠侠全新3D NAND问市.继续向顶峰迈进

据日经新闻报道.日本芯片制造商Kioxia开发了大约170层的NAND闪存.加入了与美国同行Micron Technology和韩国的SK Hynix的竞赛.据报道.铠侠新的NAND存储器是与美国合作伙伴Western Digital共同开发的.其写入数...

存储技术

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NAND
字符串

发布时间：2021-04-23

ISSCC 2021报告3D NAND闪存最新进展

一年一度的ISSCC涵盖了广泛的讨论主题.例如每年的会议中.都包含有关非易失性存储器的会议.大多数NAND闪存制造商都会分享其最新发展的技术细节.在会议上.我们能获得的信息超出了这些公司通常在新闻发布会上愿意...

存储技术

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NAND
ISSCC

发布时间：2021-04-23

关于S3C2440 u-boot支持nand hw ecc

/zixunimg/eeworldimg/blog.csdn.net/hurry_liu/article/details/8741565 ---这篇文章(文章1)讲的很详细./zixunimg/eeworldimg/www.xuebuyuan.com/zh-hant/916448.html ----这篇文章(文章2)也讲的差不多.文章1...

单片机程序设计

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发布时间：2021-04-22

tq210 nand8位HWECC与YAFFS2的OOB布局

最近又重新调试了下8位的HWECC.最后发现S5PV210的8位HWECC的确是可以用的.但是.使用yaffs2文件系统的时候的时候仍然会出问题.这是由于yaffs2文件系统与mtd层的oob布局冲突导致的.当我们使用8位HWECC时.会生成5...

单片机程序设计

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发布时间：2021-04-22

S5PV210 nand 4bit ecc笔记与AM335x的ECC

首先假设flash芯片页大小为2K + 64B的格式.S5PV210根据User Manual的4.3.7 4-BIT ECC PROGRAMMING GUIDE (ENCODING)得知4bitecc的编码步骤为:1. 写数据之前.设置Msglength(NCONF[25])设为512.InitMECC(NFCONT...

单片机程序设计

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发布时间：2021-04-22

SK海力士又一力作:基于128层NAND闪存消费级SSD问市

据BusinessKorea报道.SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD--SK海力士Gold P31.提供500GB和1TB两种存储容量.产品已上架亚马逊....

存储技术

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控制器
NAND

发布时间：2021-04-19

半导体是电子工业发展的基石(上)

智慧之石作为电子工业发展基础的电子器件.已经历了三个巨大变革时代:1. 电子管时代――1905-1947(42年);2. 晶体管时代――1947-1958(11...

接口

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发布时间：2021-04-15

4D闪存+176层.SK Hynix做到了

继美光之后.SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发.容量512GB/64GB.TLC.SK海力士透露.闪存单元架构为CTF(电荷捕获).同时集成了PUC技术.公司将样品提供给controller公司去制作解决方案产品...

存储技术

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NAND
SKHynix

发布时间：2021-03-26

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