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技术文章-为什么超低阻抗SiC FET受欢迎?

 发布时间：2020-07-01
简介 功率半导体开关通常在用于电路设计时.能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗.这是其一大优势.在各种电路保护应用中.器件需要连续传送电流.较低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率.并 ...<全部>
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ROHM成为首家量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

 发布时间：2020-06-29
导通电阻大大降低.有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化 半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET.并已建立起了完备的量产体制.与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比.同一 ...<全部>
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功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞(二)

 发布时间：2020-06-23
GaN和SiC将区分使用 2015年.市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板.并且.届时GaN类功率元件除了硅基板之外.还有望使用GaN基板.也就是说.2015年前后.SiC制功率元件与GaN类功率元件就均可轻松制 ...<全部>
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东芝正式成为功率器件玩家.准备量产SiC肖特基势垒二极管

 发布时间：2020-06-20
东芝公司日前表示.即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件.用以满足工业和汽车应用日益增长的需求. 东芝公司将首先量产肖特基势垒二极管器件(SBD).SBD的效率相比较传统的硅二极管开关电源提高了50%.另外.SiC功率 ...<全部>
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飞兆半导体收购SiC公司TranSiC

 发布时间：2020-06-19
飞兆半导体公司日前发布声明.称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC.但交易金额并没有透露. 飞兆半导体董事会主席.CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出:[碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOSFET.IGBT ...<全部>
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SiC上沉积的GaN最新技术

 发布时间：2020-06-17
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说.相比LDMOS硅技术而言.GaN这一材料技术.大大提升了效率和功率密度.约翰逊优值.表征高频器件的材料适合性优值. 硅技术的约翰逊优值仅为1. GaN最高.为324.而GaAs ...<全部>
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SiC半导体将腾飞:科锐将在美国建全球最大SiC制造工厂

 发布时间：2020-06-15
作为碳化硅(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree, Inc..美国纳斯达克上市代码:CREE).于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅(SiC)走廊.建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂.科锐将在美国纽约州Marcy建造一座 ...<全部>
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日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容

 发布时间：2020-06-12
前言 全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势.正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充.在支撑[节能.创能.蓄能"技术的半导体功率元器件领域.ROHM实现了具有硅半导体无法得到的 ...<全部>
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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

 发布时间：2020-06-10
6月5日.在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内.100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行.SiC单晶就在这100台设备里[奋力"生长.下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧. 中国 ...<全部>
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富士电机拟扩增SiC功率半导体产线

 发布时间：2020-06-02
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体.并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线.此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线.未来预计在2012年春季开始量产. 富士 ...<全部>
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