研发资源 > 标签 > 功耗

32nm工艺High-K金属栅极试产成功

 IBM公司及其技术同盟厂商.包括特许半导体.飞思卡尔.英飞凌.三星.意法半导体和东芝日前共同宣布.他们在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂已经成功展示了32nm High-K金属栅极技术晶圆.联盟各厂商客...
发布时间：2020-05-26

摩尔定律有第四个指标

 Sehat Sutardja是fabless公司Marvell Technology Group的总裁及CEO 今年半导体业不断传出好的消息.然而近期己经出现杂音.著名fabless公司Marvell的总裁 Sehat Sutardja担心将影响到未来10年的整个电子工业. ...
发布时间：2020-05-25

内嵌USB设备的ARM微控制器

 爱特梅尔推出基于ARM9 的微控制器AT91SAM9R64.目标市场为高性能的.具有USB接口的嵌入式控制应用.AT91SAM9R64可通过USB.SD卡或外接NAND闪存启动.从而减少保存程序和批量数据的存储器的数量.芯片采用球间距为0.8...
发布时间：2020-05-25

飞兆G类音频放大器实现智能手机功耗挑战

 [从今年参展的产品来看.便携式领域的热点当属智能手机和平板电脑."飞兆半导体高级市场业务推广经理李文辉指出.[不过.随着产品设计日益人性化.功能越来越丰富.耗电成为手机制造厂商面临的主要难点.例如.如今...
发布时间：2020-05-25

NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术

 ――预计2008年底将可推向市场NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发.使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI.40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细.被称为45nm的...
发布时间：2020-05-23

大功率负电源理想二极管[或"控制器可承受 ±300V 瞬变

 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 3 月 17 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出坚固的理想二极管[或"控制器 LTC4371.该器件适用于双路馈送大功率电信和数据通信电路板.LTC437...
发布时间：2020-05-23

GVCOMTM运算放大器 降低功耗以实现更高效的LCD及OLED驱动

 随着信息时代的进步.显示面板需求量正在以势不可挡之势持续快速地增长着.与此同时.面板的低功耗技术也越来越引起关注.电视.显示器以及平板电脑中.最关键的元器件莫过于液晶 (LCD及OLED) 显示面板.随着显示面...
发布时间：2020-05-23

自动断电的CPLD

 今天.大多数的CPLD(复杂可编程逻辑器件)都采用可减少功耗的工作模式.但当系统未使用时.应完全切断电源以保存电池能量.从而实现很多设计者的终极节能目标.图1描述了如何在一片CPLD 上增加几只分立元件.实现一...
发布时间：2020-05-22

五种降低未来IC功耗的技术

 功耗过高已经成为半导体制程尺寸进一步微缩的主要障碍.并且严重威胁到所有电子领域的一切进展──从推动行动设备更加微型化到开发超级电脑均包含在内. 虽然根本原因在于永恒不变的物理和化学原理.但工程师们已经...
发布时间：2020-05-21

SoC系统的低功耗设计

 摘要:功耗问题正日益变成VLSI系统实现的一个限制因素.对便携式应用来说.其主要原因在于电池寿命.对固定应用则在于最高工作温度.由于电子系统设计的复杂度在日益提高.导致系统的功耗得到其主要功耗成分.其次....
发布时间：2020-05-20
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