技术参数-EDA365

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UC3842ANG的技术参数

产品型号:UC3842ANG工作电压(V):10~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(℃):DIP8/0~70描述:高性能电流模式控制器价格/1片(套):￥2.70...

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发布时间：2021-07-27

NTD70N03RT4G的技术参数

产品型号:NTD70N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):72通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:70-75 A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.90...

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发布时间：2021-07-27

NTJD2152PT1G的技术参数

产品型号:NTJD2152PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):300最大漏极电流Id(on)(A):0.775通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8V双功率MOSFET带ESD保护价格/1片(套):￥1.80...

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发布时间：2021-07-26

NTHS5441T1G的技术参数

产品型号:NTHS5441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):5.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20 V, -5.3 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.40...

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发布时间：2021-07-26

NTJD1155LT1G的技术参数

产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:8 V, ± 1.3 A功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60...

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发布时间：2021-07-26

NTHS5443T1G的技术参数

产品型号:NTHS5443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):4.900通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20V, -4.9 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.44...

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发布时间：2021-07-26

NTHD2102PT1G的技术参数

产品型号:NTHD2102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.6A, -8V双功率MOSFET价格/1片(套):￥2.60...

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发布时间：2021-07-26

NTHC5513T1G的技术参数

产品型号:NTHC5513T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20 V, +3.9 A/-3.0 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.4...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3455T1G的技术参数

产品型号:NTGS3455T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.500通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:-3.5A,-30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.90...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3443T1的技术参数

产品型号:NTGS3443T1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:P沟道封装/温度(℃):6TSOP/-55~150描述:2A,P沟道MOSFET价格/1片(套):￥1.80...

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发布时间：2021-07-26

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