技术参数-EDA365

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NCP1014ST100T3G的技术参数

产品型号:NCP1014ST100T3G最大工作电压(V):10开关可承受电压(V)/电流(A):700 / 0.45控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):100封装/温度(℃):SOT-223/-40~125描述:离线AC-AC开关调节器价格/1片(套):￥4.60...

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发布时间：2021-07-26

NTHD4102PT1G的技术参数

产品型号:NTHD4102PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):1源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P/P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET价格/1片(套):￥2.90...

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发布时间：2021-07-26

NTHD3101FT3G的技术参数

产品型号:NTHD3101FT3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-26

NTHD3101FT1G的技术参数

产品型号:NTHD3101FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):4.400通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:-20 V, -4.4 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.76...

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发布时间：2021-07-26

NTHD3100CT1G的技术参数

产品型号:NTHD3100CT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:20 V, +3.9 A/-4.4 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2...

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发布时间：2021-07-26

MC33362DW的技术参数

产品型号:MC33362DW最大工作电压(V):40开关可承受电压(V)/电流(A):500/0.9控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):300封装/温度(℃):SO-16W/-25~150描述:离线AC-AC开关调节器价格/1片(套):￥25.00...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3443T1G的技术参数

产品型号:NTGS3443T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):65最大漏极电流Id(on)(A):2通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:2A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.80...

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发布时间：2021-07-26

NTJS4151PT1G的技术参数

产品型号:NTJS4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4.200通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:-20 V, -4.2 A功率MOSFET价格/1片(套):￥1.52...

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发布时间：2021-07-26

NTJS3157NT1G的技术参数

产品型号:NTJS3157NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(℃):SC88-6/-55~150描述:20V,4A,N沟道Trench MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-26

NTJS3151PT1G的技术参数

产品型号:NTJS3151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150描述:12 V, 3.3 A, 功率MOSFET价格/1片(套):￥1.60...

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发布时间：2021-07-26

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