技术参数-EDA365

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NTP65N02R的技术参数

产品型号:NTP65N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150描述:75A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥5.70...

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发布时间：2021-07-23

NTP30N20G的技术参数

产品型号:NTP30N20G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150描述:30 A, 200 V功率MOSFET价格/1片(套):￥17.00...

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发布时间：2021-07-23

1N5822RLG的技术参数

产品型号:1N5822RLG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):80瞬间反转电流IR(max)(mA):2封装/温度(℃):DO201AD/-65~125价格...

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发布时间：2021-07-22

MBR10100G的技术参数

产品型号:MBR10100G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):10瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.85@10A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150瞬间反转电流IR(max)(mA):0.100封装/温度(℃):TO-220/15...

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发布时间：2021-07-22

1N5822RL的技术参数

产品型号:1N5822RL反向重复峰值电压VRRM(max)(V):3平均整流器前向电流IO(max)(A):40瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):80瞬间反转电流IR(max)(mA):2封装/温度(℃):DO201AD/-65~125价格/...

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发布时间：2021-07-22

1N5819RLG的技术参数

产品型号:1N5819RLG反向重复峰值电压VRRM(max)(V):40平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):25瞬间反转电流IR(max)(mA):1封装/温度(℃):DO41/-65~125价格/1...

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发布时间：2021-07-22

MR854G的技术参数

产品型号:MR854G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):400平均整流器前向电流IO(max)(A):3瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.25@3.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):100瞬间反转电流IR(max)(mA):0.010封装/温度(℃):CASE267-05/-...

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发布时间：2021-07-22

NTY100N10G的技术参数

产品型号:NTY100N10G源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11最大漏极电流Id(on)(A):100通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-264/-55 ~150描述:100 V, 123 A,双功率MOSFET价格/1片(套):￥84.00...

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发布时间：2021-07-22

NTTS2P03R2G的技术参数

产品型号:NTTS2P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135最大漏极电流Id(on)(A):2.480通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.48 A, -30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.50...

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发布时间：2021-07-22

NTTS2P02R2G的技术参数

产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(℃):Micro8/-55 ~150描述:-2.4 A, -20 V 双功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00...

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发布时间：2021-07-22

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