晶体管-EDA365

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Qorvo 推出业内最强大的 GaN-on-SiC 晶体管

移动应用.基础设施与航空航天.国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo 今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025.QPD1025在65 V下运行1.8KW.提供出色的信号完整性和更大的范围...

半导体生产

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发布时间：2020-05-27

Intel 64层闪存率先商用10nm:晶体管密度暴增2.7倍

Intel这几年制造工艺的推进缓慢颇受争议.而为了证明自己的技术先进性.Intel日前在北京公开展示了10nm工艺的CPU处理器.FPGA芯片.并宣称同样是10nm.自己要比对手领先一代.还透露了未来7nm.5nm.3nm工艺规划.按...

半导体生产

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发布时间：2020-05-27

IBM已开发可打造5nm.指甲大小芯片即容纳300亿晶体管

相较于市场上的10奈米技术.5奈米制程可在相同的耗电下提高40%的效能.或是在相同效能下减少75%的耗电.对于节能或仰赖更高运算的人工智能.VR.云端应用大有帮助.IBM于周一(6/5)宣布.已与三星.GlobalFoundries...

半导体生产

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发布时间：2020-05-26

英特尔已可在1平方毫米中塞下1亿个晶体管

晚间报道本周二.英特尔也抢了一回头条.因为芯片巨头逻辑技术部门副主席 Kaizad Mistry 宣布.他们已经有能力在 1 平方毫米中塞下 1 亿个晶体管.[绝对是行业历史上史无前例的."对.这也可以算是个[里程碑"式的进...

半导体生产

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发布时间：2020-05-26

22nm后晶体管技术 FD-SOI与FinFET

22nm以后的晶体管技术领域.靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的.为此.人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET.由于这些技术都不需要向通道中添加杂质.易于控制特性的不均现...

半导体生产

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发布时间：2020-05-26

恩智浦推出业内首款采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

中国上海.2011年11月30日 -- 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管.这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料...

电路设计

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晶体管
BC69PA

发布时间：2020-05-23

东芝为电路设计开发出新型紧凑模型

日本的东芝公司宣布已经为电路设计开发了一项新的紧凑模型.从而可以实现45纳米CMOS工艺中更高的门密度. 东芝称通过这项技术.45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍. 东芝称其已经开发出一项技术.通...

电路设计

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发布时间：2020-05-23

基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC

氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质.近期逐渐得到了电力转换应用的青睐.具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率.从而为全新应用和拓扑选项打开了大门.连续传导模式...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

美高森美为工业应用推出了新一代大功率.高性能650V NPT IGBT

致力于提供功率管理.安全.可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation.纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(ins...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

恩智浦1500 kW射频功率晶体管树立新标杆

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(Nasdaq: NXPI)日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管.与采用任何技术或在任何频率下的产品相比.都具有最强大的性能.MRF1K50H可在50V电压下提供1.50 kW CW功率.能够减少高功...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

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基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC