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CMOS
亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一
1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度...
放大器-比较器-模拟开关
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CMOS
vdd
VSSESD
发布时间:2020-06-04
不可磨灭的CMOS技术
如果说集成电路的发展是人类历史上的一朵奇葩.那么CMOS技术就是一直滋养这支花朵成长的养料.在集成电路走过的精彩辉煌的50年里.CMOS技术为低功耗集成电路打下了基础.并成为当今主流集成电路的关键生产技术.可...
技术百科
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CMOS
工艺
发布时间:2020-06-04
三星发布采用45nm工艺技术的应用处理器
日前.韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器[S5P6440".其特点是图形性能高.功耗及成本低等.适用于PND等家电产品. 该处理器配备有英国ARM工作频率533MHz或667MHz的CPU内核[ARM1176"...
技术百科
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CMOS
处理器
三星电子
45nm
发布时间:2020-06-04
北京东微世纪成功推出D类音频功率放大器
北京东微世纪科技有限公司今天宣布成功开发1.2W高效率单通道D类音频功率放大器.这款产品编号为EMT7012的芯片采用MSOP-8L.SOP-8两种封装.主要应用于移动电话.PDA.PMP.PND和笔记本电脑等便携式音频产品.该款产...
放大器-比较器-模拟开关
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CMOS
失真
调制
发布时间:2020-06-04
中兴微电子拼啦.五模.LTE-A芯片年底上市!
作为国内首颗采用28纳米CMOS先进工艺并且一次顺利Tapeout终端芯片.中兴迅龙7510支持TDD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GSM四模十八频已应用在mifi.CPE.平板电脑.行业终端产品上.并已经大批量上市发货.同时.采用迅龙75...
技术百科
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CMOS
LTE-A
中兴
28nm
五模
发布时间:2020-06-04
三星电子新型CMOS传感器量产
三星电子新型CMOS传感器量产 韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平.2010年将批量生产产品.至此.三家大型CMOS传感器公司均将在2010年之前开始量产采用背面照射技术的CMOS传感器. ...
技术百科
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传感器
CMOS
三星电子
发布时间:2020-06-04
Teledyne DALSA 公开发售一流的 CMOS 行扫描传感器
2017 年 5 月 23 日 - Teledyne Technologies 下属公司.图像传感技术领域全球领导者 Teledyne DALSA HYPERLINK 首次发售其经过验证.具备最佳性能的图像传感器.Teledyne DALSA 设计和制造机器视觉行业一流的行扫描...
技术百科
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传感器
CMOS
Teledyne
行扫描
DALSA
发布时间:2020-06-04
量子效应为什么会一直存在?
在未来的节点上总有一些意想不到的行为.我们对如何处理它们还不是十分清楚.例如在最先进的节点上变得越来越明显的是量子效应.导致电子器件和信号行为异常和意想不到的变化.对于大多数芯片行业来说.量子效应通常...
单片机程序设计
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CMOS
芯片
imec
发布时间:2020-06-03
年增长15%.汽车将会是CMOS未来五年最快增长点
IC Insights最新公布的报告指出.CMOS图像传感器在汽车.安防.机器视觉.医疗.虚拟现实以及其他新领域的应用抵消了智能手机市场缓慢增长带来的影响.随着数码相机在汽车.机器视觉.人脸识别和安防系统中的应用越...
半导体生产
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CMOS
IC
发布时间:2020-06-03
MEMS产业进入新阶段 8英寸产能大幅扩充
随着MEMS技术的晶圆化.规范化.规模化.尤其是8英寸MEMS加工技术的成熟和商业化.MEMS代工将大大推动整个MEMS产业的发展.成为继CMOS代工之后又一个晶圆代工的增长点. 借助于当代先进的大规模集成电路制造工艺...
技术百科
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CMOS
MEMS技术
晶圆
集成
产能
Wii
代工
硅器件
产业技术
新阶段
发布时间:2020-06-02
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