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FinFET
泛林Dr.Nerissa Draeger:GAA结构将取代FinFET
FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管--芯片[大脑"内的微型开关--制造带来了颠覆性变革.与此前的平面晶体管相比.与栅极三面接触的[鳍"所形成的通道更容易控制.但是.随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积.Fi...
半导体生产
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FinFET
GAA
发布时间:2021-07-07
明导科技工具被纳入台积电16纳米FinFET制程技术参考流程
俄勒冈州威尔逊维尔.2013年9月19日-Mentor Graphics公司(纳斯达克代码:MENT)今天宣布它已完成其用于台积电16纳米FinFET制程的数字成套工具.台积电16纳米参考流程包含一些新功能.用于Olympus-SoC™布局与布线系...
电路设计
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台积电
FinFET
16纳米
明导
发布时间:2021-05-28
IP全国产迈出关键一步.TSMC FinFET N+1芯片问市
中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)发布:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试.所有 IP 全自主国产.功能一次测试通过.官方介绍称.自 2019 年始.芯动在中芯 N...
嵌入式开发
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FinFET
TSMC
发布时间:2021-04-20
详解先进的半导体工艺之FinFET
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管.闸长已可小于25奈米.该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授.Fin是鱼鳍的意思.FinFET命名...
接口
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FinFET
半导体工艺
发布时间:2021-01-19
3nm.5nm制程:复杂且昂贵的争夺战(一)
翻译自--semiengineering 半导体工艺在进入14nm/16nm制程之后.最经常被提到就是鳍式场效应晶体管(FinFET).它的出现满足了7nm至14nm之间的工艺制造.不过在进入更小的5nm.甚至3nm之后.FinFET工艺已经难以满足半导...
半导体生产
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FinFET
3nm
GAA
发布时间:2020-12-22
台积电拟2013年用ARMv8作为16nm FinFET制程的验证
台积电在上周二的年会上公布了该公司的路线图.其中提到他们将会在明年年底开始尝试用 ARM 的第一个 64-bit 处理器(ARMv8 指令集)来作为 16nm FinFET 制程的验证.按照这份路线图.台积电计划在 2013 年 11 月开始早...
单片机程序设计
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台积电
FinFET
16nm
ARMv8
发布时间:2020-08-21
FinFET对动态功耗的影响
现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管.这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变.FinFET的发展普及一直都比较稳定.因为与平面器件相比.它们可以提供更低的功耗.更高的性能和更小的面积.这使得Fi...
模拟电路设计
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动态功耗
FinFET
发布时间:2020-06-28
格芯三维14nmFinFET晶体管架构助力IBM服务器.引航智能云服务
格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术.这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力.从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云.商业和...
技术百科
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FinFET
发布时间:2020-06-24
Altera展示基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术
展示基于Intel 14 nm三栅极工艺的FPGA技术,14 nm FPGA测试芯片确认了在使用业界最先进的工艺技术时.Altera获得的性能.功耗和密度优势. 2014年4月24号.北京--Altera公司 (NASDAQ: ALTR)今天展示了基于Intel 1...
技术百科
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FPGA
FinFET
altera
14nm
发布时间:2020-06-23
FinFET布局和布线要经受各种挑战
随着高级工艺的演进.电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强.与此同时.他们同样面临许多新的设计挑战.多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制.另外为降低功耗和提高性...
技术百科
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模拟技术
FinFET
发布时间:2020-06-20
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