研发资源 > 标签 > MOSFET

开关电源的同步与非同步整流特点分析

 开关电源的同步与非同步整流特点分析-当续流二极管正向导通时.输出电流变化.二极管的正向压降是恒定不变的.锗管的压降为0.3V.硅管的压降为0.7V....
发布时间：2024-01-02

如何计算电源IC的损耗

 如何计算电源IC的损耗-一般情况下.技术规格书的标准值(即IC参数的值)中.包括最小值.典型值.最大值.有些参数只有最小值或最大值.或只有典型值.并非所有的参数都具备这三种值....
发布时间：2023-12-29

探讨功率开关各部位传导损耗计算方法

 探讨功率开关各部位传导损耗计算方法-在实际的计算中重要的是:导通电阻的值根据Io值中的导通电阻来计算.一般情况下在MOSFET的技术规格书中会给出导通电阻RDS(ON)和IDS的曲线图.可以利用这些数据....
发布时间：2023-12-29

如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源

 如何使用MOSFET或者IGBT实现高频开关电源-生活中有各种各样的电源.其中就有一款叫高频开关电源系统.什么是高频开关电源系统?它有什么作用?高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源.开关频率一般控制在50-100kHz范围内.实现高效率和小型化....
发布时间：2023-12-19

什么使得MOSFET性能大打折扣

 虽然MOSFET的芯片和封装不断改进.但是它们是否能有效的应用于电源产品依然面临着不小的挑战.除了器件结构和加工工艺.MOSFET的性能还受其他几个周围相关因素的影响:如封装阻抗.印刷电路板(PCB)布局.互连...
发布时间：2023-11-24

关于电源IC的Vcc电压.你了解吗?

 什么是电源IC的Vcc电压?它有什么特点?关于绝缘型反激式转换器的性能评估.除了规格以外.需要确认的[重要检查点"本次将说明[Vcc电压"....
发布时间：2023-10-24

详解MOSFET的驱动技术及应用

 MOSFET作为功率开关管.已经是是开关电源领域的绝对主力器件.虽然MOSFET作为电压型驱动器件.其驱动表面上看来是非常简单.但是详细分析起来并不简单....
发布时间：2023-10-12

实装PCB板布局相关的注意事项

 本文将介绍本设计中的安装电路板(PCB)版图与元器件布局相关的注意事项....
发布时间：2023-10-09

揭秘锂电池过充电.过放电.混合使用可能出现的问题

 下面讲解锂电池充放电可能引发的问题...
发布时间：2023-09-11

如何才能提高隔离式电源的效率

 如何才能提高隔离式电源的效率-在大多数降压调节器的典型应用中.使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法.这样能大大提高转换效率.尤其是产生低输出电压时.在需要电流隔离的应用中.也可使用同步整流来提高转换效率.图1所示为副边同步整流的正激转换器....
发布时间：2023-07-12
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