MOSFET-EDA365

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如何实现更高的系统效率--第二部分:高速栅极驱动器

在此系列的第一部分中.讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率.高速栅极驱动器也可以实现相同的效果.高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率.体二极管是寄生二极管.大多数类型的FET...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-05-22

利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络

利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单.直接的过程.但是.假设须要生成一些任意数量(以N为例)的电流沉/源(current sink/source).而每个电流沉/源的大小任意.可能须要针对不同阶段的一些复...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-05-22

英飞凌业绩劲升携手飞兆推MOSFET封装标准化

英飞凌科技于近日宣布.2009/10财年第二季度公司营收额预计将环比增长约10%.与此同时.英飞凌还预计在刚结束的这个季度.公司分部利润率有望达到10%以上. 在本财年第三季度.英飞凌预计公司营收将取得持续增长...

PCB设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ

日前.VishayIntertechnology,Inc.宣布.推出新款20VP沟道功率MOSFET--SiA433EDJ.器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装.具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻.新款SiA433EDJ是采用第...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay 推出芯片级封装的功率MOSFET

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH) 宣布推出采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB.该器件具有背面绝缘的特点.Si8422DB 针对手机.PDA.数码相机.MP3 播放...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay光学传感器和MOSFET获EN-Genius年度产品奖

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 28 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network颁发的年度产品奖.该网站在...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay发布业内导通电阻最低的超小尺寸20V芯片级MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON).外形尺寸为1mm2或小于0.7mm2.开启电压低至1.2V 宾夕法尼亚.MALVERN - 2015 年 6 月19 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay发布新的150V N沟道MOSFET

器件的RDS(ON)比前一代器件低53%.TSOP-6封装的占位面积小55%. 宾夕法尼亚.MALVERN - 2014 年 5 月8 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业界首款采用小尺寸.热增强型SC...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay扩展Gen III TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新型25V N信道组件SiR476DP.扩展其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列.对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的组件而言.该组件具有最低导通电阻以及导通电阻与闸极电荷乘积. SiR476DP在...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay推出n通道MOSFET+肖特基二极管

2008 年12月12日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二极管--- SiB800EDK.该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装.这款新型器件的推出.意味着Visha...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

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