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Memory
ARM Memory Copy
1 MODULE ARM_MEMORY 2 3 PUBLIC ARM_MEMCPY 4 PUBLIC ARM_MEMSET 5 PUBLIC ARM_MEMSET8 6 PUBLIC ARM_MEMSET16 7 PUBLIC ARM_MEMSET32 8 9 ...
单片机程序设计
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ARM
Memory
copy
发布时间:2021-01-21
Cortex-M3 and Cortex-M4 Memory Organization
The Cortex-M3 and Cortex-M4 have a predefined memory map. This allows the built-in peripherals, such as the interrupt controller and the debug components, to be accessed by simple memory access instru...
单片机程序设计
|
Cortex-M3
Memory
Cortex-M4
Organization
发布时间:2021-01-21
为什么单片机会用EEPROM作为data memory而不用flash
受单片机成本限制.用flash的话比如我要对某字节存储.那么就需要把整页都擦除.其他地方的数据要保留就得进行缓存.占用RAM资源较多.而用EEPROM就要方便操作.有能够节省本来就不多的单片机资源.EEPROM,EPROM,FLA...
技术百科
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单片机
EEPROM
FlaSh
Memory
Data
发布时间:2020-09-22
NandFlash系列之二:S3C2410读写Nand Flash分析
一.结构分析S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器.目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208.k9f1g08.k9f2g08等.k9f1208.k9f1g08.k9f2g08的数据页大小分别为512Byte.2kByte.2kByte.它们在寻址方...
嵌入式开发
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Cell
s3c2410
Memory
NANDFlash
发布时间:2020-07-13
DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization
在 DRAM Storage Cell 章节中.介绍了单个 Cell 的结构.在本章节中.将介绍 DRAM 中 Cells 的组织方式.为了更清晰的描述 Cells 的组织方式.我们先对上一章节中的 DRAM Storage Cell 进行抽象.最后得到新的结构图...
可编程逻辑
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DRAM
Memory
Cells
发布时间:2020-07-09
NAND Flash 在MSP430嵌入式系统中的应用
NANDFlash是采用NAND结构技术的非易失存储器.具有ROM存储器的特点.存储在该芯片中的数据可在断电情况下维持10年不丢失.而芯片的引脚与访问又具有类似于RAM的特点.NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线...
嵌入式开发
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FlaSh
MSP430F149
Memory
低功耗系统
发布时间:2020-07-07
NAND Flash 在MSP430嵌入式系统中的应用
NAND Flash是采用NAND结构技术的非易失存储器.具有ROM存储器的特点.存储在该芯片中的数据可在断电情况下维持10年不丢失.而芯片的引脚与访问又具有类似于RAM的特点.NAND FLASH 存储器将数据线与地址线复用为8条线...
技术百科
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FlaSh
MSP430F149
Memory
低功耗系统
发布时间:2020-06-20
Flash Memory作为数据存储器在E5中的应用
1.E5的特点及体系结构E5是位于美国硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU.它是基于8051的内核.但将微处理器的内核.ASCI及可重构逻辑阵列集成与一体.构成一款CSOC(可配置系统)芯片.Triscend E5的主要特点有...
嵌入式开发
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数据
存储器
FlaSh
闪存
Memory
映射
嵌入式系统设计
应用
作为
Triscend
发布时间:2020-06-19
STM8S--Flash program memory and data EEPROM
1.简介 STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的,所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容.设置写保护.或者配置特定的低功耗模式.我们也可以自己对器件的 option...
技术百科
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EEPROM
FlaSh
stm8s
Memory
Data
Program
发布时间:2020-06-17
Keil Memory Model的选择问题
Memory Model:用鼠标点击Memory Model的下拉箭头.会有3个选项: Small:变量存储在内部RAM里, Compact:变量存储在外部RAM里.使用页8位间接寻址, Large:变量存储在外部RAM里...
技术百科
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keil
Memory
Model
发布时间:2020-06-16
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s3c2410
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