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美光科技上调Q2财务预期并指DRAM供应吃紧

与非网3月5日讯美光科技(MU.US)上调Q2财务预期.公司首席财务官David Zinsner表示.DRAM供应持续紧张.公司库存较最近几个季度要少.但这对DRAM价格来说是个[好兆头".而NAND市场则相对稳定....

技术百科

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发布时间：2021-07-20

NAND FLASH扇区管理

首先需要了解NANDFLASH的结构.如图:以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例.这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page).64个页(page)组成1个块(block).4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的...

嵌入式开发

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发布时间：2021-07-01

日本地震一周年回顾:NAND产业经受住了打击

凭借存储密集型产品的支持.NAND产业经受住了日本地震的打击.东芝受到的影响最为严重.但主要是在2011年第二季度.日本灾害造成巨大的人员伤亡.一年后.继续给日本民众与经济留下难以磨灭的印迹.但是.在制造业方...

存储技术

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NAND
日本

发布时间：2021-06-22

Q309 NAND闪存品牌厂商营收排名三星居首

据集邦科技.2009年第三季中多数NANDFlash品牌供货商在电子系统客户4Q旺季长单回温效应的带动下.第三季NANDFlash平均销售价格(ASP)环比小涨约4%.整体NANDFlash出货量则环比增加约17%.因此2009年第三季NANDFlash品...

半导体生产

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发布时间：2021-06-08

手机内建NAND Flash风潮

手机搭载记忆体分为2种形式.第1是外接快闪记忆卡.第2是内建NAND Flash记忆体.随着消费者对于利用手机下载多媒体影音.照片.游戏等需求日益提升.对于记忆体容量的需求更是越来越高. 过去只流行数位相片的...

存储技术

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发布时间：2021-06-08

英特尔傲腾如何实现内存-存储池的大一统

尽管英特尔傲腾技术在速度上无法完全与 DRAM 匹敌.但其持久性的独特优势...

嵌入式开发

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发布时间：2021-06-03

Hynix公司宣称已量产20nm NAND闪存

南韩内存厂商Hynix公司日前宣布已开始量产20nm制程级别64Gb NAND闪存芯片.这款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工厂生产的.Hynix公司表示.升级为2xnm制程节点后.芯片的生产率相比3xnm制程提升了60%.芯片的...

存储技术

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NAND
Hynix

发布时间：2021-06-02

东芝提供符合UFS 2.0的NAND闪存模块样品

符合JEDEC UFS 2.0版本标准的嵌入式存储器将高达64GB的NAND和控制器融合于单一封装内东京-东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体存储产品公司2014年4月25日宣布.即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32...

存储技术

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发布时间：2021-05-31

IBM重大技术突破能耗低于NAND闪存技术

根据Computerworld网站报道.IBM研究人员在自旋电子学领域([自旋迁移电子学"的简称)取得了重大技术突破.能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头.在半导体材料上记录和读取数位数据.可以将电子自旋周期延长30倍...

存储技术

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IBM
NAND

发布时间：2021-05-13

NANDFlashd的读写(基于s3c2440)

#ifndef__TEST_H__#define__TEST_H__#include"def.h"#defineMAX_NAND_BLOCK2048//一共2048块#defineNAND_PAGE_SIZE2048//每块main区2k字...

嵌入式开发

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发布时间：2021-04-27

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支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

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