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双芯片P沟道功率TrenchFET®功率MOSFET[Vishay]

 发布时间：2020-06-29
宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 2 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ.新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增 ...<全部>
  • 29

Vishay推出新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET

 发布时间：2020-06-18
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET.Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高 ...<全部>
  • 153

Si8422DB :Vishay采用MICRO FOOT封装的MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:器件具有背面绝缘的特点1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度VGS 1.8V时0.043Ω 至4.5V时0.037Ω的低导通电阻最大栅源电压为 ±8 V应用范围:手机.PDA.数码相机MP3 播放器及智能电话等便携设备日前 ...<全部>
  • 63

SiZ700DT: Vishay单封装双不对称功率MOSFET器件

 发布时间：2024-11-05
产品特点:同时提供了低边和高边MOSFET导通电阻降至5mΩ6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装符合IEC 61249-2-21的无卤素规定应用范围:电源模块低电流DC-DC转换器同步降压转换器日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYS ...<全部>
  • 79

4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET导通电阻创纪录

 发布时间：2024-11-05
产品特性:新一代TrenchFET Gen IV系列MOSFET在4.5V下导通电阻为1.35mΩ实现了非常高密度的设计.而没有明显增加栅极电荷Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低应用市场:高功率密度DC/DC转换器.同步整流.同步降压转换器和OR-in ...<全部>
  • 11

Vishay推出采用TurboFET技术第三代功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:新产品包括两款20V 和两款30V n通道器件首次采用TurboFET技术.栅极电荷降低多达 45%超低的导通电阻与栅极电荷乘积可选择以更高的频率工作均无卤素.且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试应用范围:笔记本电脑.稳 ...<全部>
  • 38

Si8802DB|Si8805EDB:Vishay推出业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:0.8mm x 0.8mm芯片级封装导通电阻低应用范围:智能手机.平板电脑.便携式媒体播放器和移动计算设备日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功 ...<全部>
  • 162

Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:该器件将第三代P沟道TrenchFET技术延伸至超小封装在2mmx2mm的占位面积内用两个20V P沟道功率MOSFET导通电阻最多可减少44%应用范围:DC-DC降压转换器便携设备中的负载.功放和电池开关宾夕法尼亚.MALVERN ...<全部>
  • 140

Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:20V P通道器件采用 SO-8 封装低至1.9 mΩ的超低导通电阻 通过Rg 和 UIS 认证.且不含卤素应用范围:笔记本电脑工业/通用系统电子元件技术网提供文章精华概要.改善您的阅读效率日前.Vishay Intertechnolog ...<全部>
  • 71

Si7625DN:Vishay推出30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

 发布时间：2024-11-05
产品特性:3.3mmx3.3mm占位面积导通电阻是最低的减小电压降应用范围:笔记本电脑.上网本工业/通用系统中的适配器.负载和电池开关宾夕法尼亚.MALVERN - 2010 年 5 月 5 日 - 日前.Vishay 宣布.推出首款采用Power ...<全部>
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