晶体管-EDA365

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场效应管的特性.性能参数和选用注意事项

场效应管的特性.性能参数和选用注意事项-绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管.简称MOS管.按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种.每种又有N型沟道和P型沟道两种.增强型和耗尽型四类....

模拟电子

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发布时间：2021-11-02

无晶体管存储器技术

世界上生产的绝大多数晶体管都被用于存储单元.既可以用作闪存.SRAM.也可以用 DRAM....

嵌入式开发

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发布时间：2021-11-01

场效应晶体管的特点

什么是场效应晶体管?场效应晶体管(Field-effecttransistor.缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元器件.场效应晶体管依靠电场去控制导电沟道形状.因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性...

技术百科

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发布时间：2021-09-22

三星演示 3nm MBCFET 芯片:采用纳米片结构制造晶体管

与非网3月15日讯根据TomsHardware的消息.三星在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上.三星工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节....

技术百科

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发布时间：2021-09-15

针对3-5纳米节点复旦学者实现围栅多桥沟道晶体管技术

与非网12月18日讯复旦大学官方消息显示.近日.复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术.验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA.Gate All Around).实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一.为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径....

电源

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发布时间：2021-09-14

GaN Systems出货2000万个GaN晶体管

GaN Systems功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布其2000万个GaN晶体管的出货量.其工厂合作伙伴计划如期在2021年完成40倍的产能扩充....

电源

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发布时间：2021-09-14

TS321和TS391的工作原理及电路应用分析

TS321和TS391的工作原理及电路应用分析-从1963年Robert J．(Bob) Widlar设计出第一片公认的单片集成运算放大器μA702开始.运算放大器的发展.经历了从通用运算放大器到低失调.低噪声.高增益的高精度专用运算放大器的历程.这期间324作为一款通用的运算放大器.由于其具有极高的易用性在很长的一段时间内得到了广泛的应用....

模拟电子

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发布时间：2021-09-10

意法半导体MasterGaN®系列新增优化的非对称拓扑产品

基于MasterGaN®平台的创新优势.意法半导体推出了MasterGaN2.作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品.是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案....

电源

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发布时间：2021-08-25

浅析晶体管偏置电路设计实现方案

双极结型晶体管(BJT)操作为在应用如放大器.振荡器等.或者在转换器的数字装置和开关电路或者模拟设备.晶体管的这种双重作用是通过晶体管偏置实现的. 施加到晶体管的两个PN结的偏置会影响多数载流子的运动....

技术百科

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发布时间：2021-08-19

利用电阻和晶体管来同步闪烁LED

无所不在的led携其多种尺寸.颜色和输出流明值等.继续拓展其应用范围.其中.集成了内部振荡电路的闪烁LED在嵌入式应用上具有尺寸上的优势.但是设计一个需要多次闪烁LED却是十分困难的.因为每一个闪烁LED都是自动...

技术百科

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发布时间：2021-08-06

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