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TDK发布GBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路

TDK公司发布GBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路.新的GBDriver RS1兼容1.5 Gbps SATA I.并且在当作NAND闪存控制器IC使用时.可以控制最新的4 K字节/页的SLC(单级单元)和MLC(多级单元)NAND闪存. NAND闪存在...

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发布时间：2021-06-22

瑞萨的片上闪存16位MCU R8C/Tiny系列再添新产品

瑞萨科技RenesasTechnology近日宣布.在小型.低引脚数.带有片上闪存的高性能16位MCU的R8C/Tiny系列中.增加36个新型号产品.新型号产品分为四个组--32引脚封装版本的R8C/26和R8C/27.以及20引脚封装版本的R8C/28和...

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瑞萨

发布时间：2021-06-21

瑞萨科技带片上闪存R8C/Tiny系列低电压工作和宽温度范围16位微控制器又添四组36个型号产品

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布.在小型.低引脚数.带有片上闪存的高性能16位微控制器的R8C/Tiny系列中增加36个新型号产品.新型号产品分为四个组--32引脚封装版本的R8C/26和R8C/27.以及20引脚封...

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发布时间：2021-06-21

英特尔首推90nm MLC NOR闪存瞄准多媒体手机应用

英特尔公司日前宣布推出据称是业界有史以来第一款的90纳米多级单元(MLC)NOR闪存设备--英特尔M18型单元内存.与之前的130纳米产品相比.全新英特尔M18型StrataFlash蜂窝内存具有更卓越的性能.更高的密度和更低的功耗...

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英特尔
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发布时间：2021-06-21

面向多媒体手机应用英特尔首款90nm多级单元NOR闪存出炉

英特尔公司近期宣布推出业界首款90nm多级单元(MLC)NOR闪存--英特尔M18型蜂窝内存.与之前的130nm产品相比.全新英特尔M18型StrataFlash蜂窝内存具有高性能.高密度和低功耗.可以满足具有多种功能(如相机.彩屏.Web...

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英特尔
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发布时间：2021-06-21

英特尔联合美光研发高速NAND闪存技术

据国外媒体报道.英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术.传输速度是现有NAND闪存的5倍之多.这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成.该技术符合最新的接口规范定义.即所谓的开放式NAND...

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英特尔
闪存

发布时间：2021-06-21

ST推出SO8N封装8Mbit及16Mbit串行代码存储闪存

意法半导体推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存.新产品采用市场上同类产品中最小的封装:SO8N.ST是市场上第一个推出这些封装闪存的制造商.新产品尺寸紧凑.成本低廉.适合各种对成本有较高要求的计算机及消费电子产...

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发布时间：2021-06-17

闪存的FPGA添臂力便携式医疗设备可靠度大增

便携式医疗产品逐渐获得市场青睐.如何开发出更小尺寸.更低功耗与高可靠度的产品已成为产品设计人员首要课题.产品设计人员透过高效能的Flash-based FPGA元件.将可实现微型化.高安全性与低功耗等特性.进而扩大便...

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发布时间：2021-06-17

ST基于ARM9的内置闪存通用微控制器催生新一代联网嵌入式应用

意法半导体率先在通用闪存微控制器系列产品内集成以太网接口.ARM9E处理器核心和大容量嵌入式SRAM和闪存.新的STR910F系列为基于ARM的闪存微控制器确立了新的性价比和网络接入标准.为系统设计人员将功能强大的嵌入...

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发布时间：2021-06-16

英飞凌32位微处理器集成1M嵌入式闪存.成本削减40%

面向高性能.低成本型工业控制应用.英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布推出基于TriCore架构的全新TC116x系列32位微处理器的两款样品.TC1161和TC1162微处理器集成了高性能66MHz CPU以及1M的嵌入式闪存和完整外...

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发布时间：2021-06-16

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