研发资源 > 标签 > ISSCC

SD缓存.FeRAM.MRAM和PRAM的新技术纷纷发布

 在半导体电路技术国际会议[2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference(2009 ISSCC)"开幕前夕的09年2月8日(星期日).主办方就4项技术分别举行了研讨会.这四个研讨会分别为汇集了以SSD为中心的内...
发布时间：2020-06-03

PLD概述

 一.概述 PLD(programmable logic device)--可编程逻辑器件:PLD是做为一种通用集成电路生产的.他的逻辑功能按照用户对器件编程来高定.一般的PLD的集成度很高.足以满足设计一般的数字系统的需要.这样就可以...
发布时间：2020-06-03

PLL性能提高.今年TDC新提案接连不断

 [ISSCC 2010"的[Session 13:Frequency＆Clock Synthesis"是关于由分频器.相位比较器.环路滤波器以及VCO构成的模拟方式PLL的研讨会.美国SiTime等发布的MEMS振荡器用Fractional-N PLL(论文序号:13.1)和富士通研...
发布时间：2020-06-03

澳大3名ISSCC国际技术议程委员率团到内地分享

 澳门大学三名国际电机电子工程师学会(IEEE)2018年国际固态电路峰会(ISSCC.又称"芯片奥林匹克")国际技术议程委员会委员:模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室二位副主任余成斌(新诺普思澳门)和麦沛...
发布时间：2020-06-03

ISSCC 2018中国论文录取量首次超越日本全球第四

 国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference, ISSCC)2018年年会将于2018年2月11日至2月15日于美国旧金山举行.本次研讨会中国(含中国大陆.香港及澳门)共有14篇论文入选.数量仅次于美国....
发布时间：2020-06-01

ISSCC澳门大学入选论文超过大陆大学总和

 11月17日.[2018芯片奥林匹克-IEEE国际固态电路峰会(ISSCC 2018)中国北京发布会"在京召开.该峰会将于2018年2月11日~2月15日在美国加州三藩市举行.IEEE ISSCC(国际固态电路峰会)是由IEEE固态电路协会(SSCS)主...
发布时间：2020-06-01

三星总裁:直到5nm工艺.那都不是事

 在ISSCC(International Solid State Circuit Conference)国际固态电路会议上.三星的举动令业界感到惊讶.全球首次展示了 10nm FinFET半导体制程.当时业内人士纷纷表示.三星有望抢在英特尔之前造出全球第一款 10...
发布时间：2020-05-28

64Gbit的NAND闪存亮相ISSCC

 美国SanDisk与东芝在[ISSCC 2009"上发布了基于4bit/单元多值技术的64Gbit的NAND闪存.采用43nm级工艺技术制造而成.单芯片的64Gbit内存容量为[全球最大"(东芝).芯片面积略大.为244.45mm2. 目前正在量产的NA...
发布时间：2020-05-27

CPU双雄ISSCC较劲 Intel小胜AMD

 在美国旧金山举行的国际固态电路会议(ISSCC)上.两大处理器供货商Intel与AMD的较劲显然是前者胜出,无论在新讯息或论文的发表上.Intel都占上风.在ISSCC上.Intel表示该公司第一款32奈米服务器处理器将采用6核心,A...
发布时间：2020-05-25

ISSCC:新运算架构打造低延迟资料中心

 ...
发布时间：2020-05-25
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