内存芯片-EDA365

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内存芯片封装技术[三级跳"

芯片的封装技术种类多种多样.诸如DIP.PQFP.TSOP.TSSOP.PGA.BGA.QFP.TQFP等等.芯片的封装技术已历经好几代的变迁.技术指标一代比一代先进.如芯片面积与封装面积之比越来越接近.适用频率越来越高.耐温性...

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发布时间：2023-12-08

富士通两款2Mbit FRAM内存芯片上市

富士通微电子(FujitsuMicroelectronics)宣布其2MbitFRAM内存芯片已开始供货上市.该产品号称为目前全球可量产的最大容量FRAM组件.富士通新款MB85R2001和MB5R2002芯片内建非挥发性内存.具备高速资料写入.低功耗....

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发布时间：2023-06-09

华为内存芯片订单出现高峰.三星Q3净利大涨58.1%

全球最大的内存芯片和个人电子产品制造商三星电子于周四发布了未经审计的初步业绩预报....

嵌入式开发

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发布时间：2022-02-07

WSTS预计今年全球半导体市场增长5.1% 明年增长8.4%

半导体行业正在走出始于2018年末的周期性低迷.据世界半导体贸易统计(WSTS)的最新预测显示.尽管受到新冠病毒大流行的干扰.全球半导体行业今年仍将恢复增长.其中.内存芯片公司有望在2020年实现最大涨幅....

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发布时间：2021-09-07

2012前内存芯片厂商重点不放产能拓展方面

据iSuppli公司分析.由于全球内存芯片厂商在2005-2007年间已经耗费了大量资本进行设备投资和产能扩展,因此现有的产能已经可以满足2012年的市场需求.这便意味着在未来两年之内全球内存芯片厂商的主要精力将不会放在...

存储技术

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发布时间：2021-06-08

日本采用TMR技术制造8Gbit非易失性内存芯片

一个日本研究团队宣布.已将高性能垂直式穿隧磁阻(perpendicular tunneling magneto-resistance)工艺扩展至非易失性逻辑组件的生产.并表示能以40纳米工艺技术制造出内建8Gbit约当容量之非易失性内存的逻辑芯片. ...

半导体生产

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发布时间：2021-06-02

内存芯片识别方法

内存芯片识别方法1．LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识,GM72V*****1**T**GM为LGS产品,72为SDRAM,第1.2个*代表容量.16为16Mbit.66为64Mbit,第3.4个*代表数据位宽.一般为4.8.16等.不补0,第5个*代表bank.2代表...

模拟电路设计

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发布时间：2020-12-01

现代内存芯片的编号识别

现代内存芯片的编号识别一.现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片):HY XX X XX X X X XX X -XX① ②③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩第1字段由HY组成.代表是现代(HYUNDAI...

模拟电路设计

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发布时间：2020-10-14

现代内存芯片的编号识别

现代内存芯片的编号识别一.现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片):HY XX X XX X X X XX X -XX① ②③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩第1字段由HY组成.代表是现代(HYUNDAI...

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发布时间：2020-07-15

中国内存爆发.引起国外巨头们的恐慌!

中国的半导体产业正在极速爆发.这也引起了国外巨头们的恐慌.他们当然不希望这块国产厂商能够迎头追上. 据台湾电子时报报道称.美光科技在美国加州的一家联邦地方法庭提交了诉状.指控联华电子以及下属的福...

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内存芯片

发布时间：2020-06-23

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